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從東沃GPS接口浪涌靜電保護方案設計圖可知，東沃電子技術從兩個方面進行浪涌靜電防護：一個是對內饋直流電源進行浪涌防護，另一個是對射頻信號進行防護。一級電源防護，東沃技術推薦選用半導體放電管P0080SC，用于吸收雷擊或大浪涌電流。饋電部分防護選用單向瞬態抑制TVS二極管SMBJ6.0A和肖特基二極管B0520W，可有效保護后端LDO芯片免受浪涌的沖擊。二級信號接口選用東沃推出的ESD靜電保護二極管DW05DLC-B-S，工作電壓5V、低鉗位電壓18.3V、低漏電流1uA。
100M百兆POE接口防浪涌防靜電保護方案有很多，接下來要分享的是TVS瞬態電壓抑制二極管5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA和ESD靜電保護二極管DW03DLC-B在100M百兆POE接口防護方案中的應用，具體方案圖如下：
從LVDS接口靜電和電磁干擾防護設計方案圖可知，電路保護器件選用了TVS二極管陣列DWCM5412P（DFN26135-10L封裝）和DW05-2R2P（DFN26135-10L封裝）為LVDS接口保駕護航。此方案符合IEC61000-4-2 Contact：8KV；Air：15KV。想了解更多有關LVDS接口ESD和EMI保護，可與東沃電子工程師溝通交流。
從SD卡端口靜電保護方案圖中可以看出，電路保護器件選用了超低結電容ESD靜電保護二極管DW05DTF-B，封裝DFN1006-2L，結電容0.5pF；DW3.3-5RVP，封裝DFN1616-6L，結電容0.6pF；低漏電流，響應速率快，封裝體積小，節約PCB空間。此方案滿足ESD IEC 61000-4-2 Level4 Contact Discharge：8KV，Air Discharge：15KV。
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